高純度 ALD 前驅體材料，穩定供應、製程相容，全方位支援薄膜應用
我們的材料合作夥伴提供設備相關的前驅體與填充服務。我們也提供帶液位感測器的前驅體鋼瓶，能精確控制不同製程的前驅體用量、消除缺料風險，並輕鬆規劃鋼瓶更換與預防性維護 (PM) 停機時間。
除標準前驅體外，我們亦期待與客戶合作，共同開發下一代製程所需的新材料。
依應用領域分類的主要 ALD 前驅體與純度規格
| Application 應用 | Product Name 產品名稱 | Purity 純度 |
|---|---|---|
| Low K Dielectrics | OMCATS · DMDMOS | >6N |
| High K Dielectrics | TAETO (Ta₂O₅ Precursor) | >6N |
| High K Dielectrics | TEMAH · HfCl₄ (ALD HfO₂ Precursor) | >6N |
| High K Dielectrics | TEMAZ (ALD ZrO₂ Precursor) | >6N |
| High K Dielectrics | TMA (Al₂O₃ Precursor) | >6N |
| Metal Gate / Interconnect Metal | TiCl₄ (Ti / TiN Precursor) | >6N |
| Metal Gate / Interconnect Metal | PDMAT (TaN Precursor) | >6N |
| Metal Gate / Interconnect Metal | CCTBA (Co Precursor) | >6N |
| Low-Temp Nitride / Oxide | HCDS · 3DMAS · BTBAS | >6N |
| Transparent Electrode | TEMASn · TDMASn · TMI · DEZ | >6N |
針對 ALD 製程對前驅體傳輸的嚴苛要求，悅鍍科技提供從鋼瓶設計、液位偵測到液體輸送的整合解決方案，協助客戶在量產與研發場域穩定地管控材料用量、降低風險與停機時間。
如需洽詢客製化鋼瓶、液位計與相關前驅體傳輸整合方案，歡迎與我們聯絡，提供您的製程資訊以便評估最適合的配置。