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系統設備

從實驗室用到卷對卷 (roll to roll) 高產量生產設備

研發型設備

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熱法 Thermal-ALD

設備規格

基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形

製程溫度:溫度範圍:RT~500°C (可自訂)

前驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體

源瓶加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃

反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)

載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)

壓力監測:雙薄膜規組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr

本底真空度:<5x10-3 Torr

真空系統:標準油泵

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等離子增強系統 PE-ALD

設備規格

基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形

製程溫度:溫度範圍:RT~500°C (可自訂)

前驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體源瓶

加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃

反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)

載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)

等離子體系統:支援4路等離子體氣體(可客製化)射頻功率:0~1000W

壓力監測:雙薄膜規組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr

本底真空度:<5x10-3 Torr

真空系統:標準油泵

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大尺寸沉積系統Large-Area ALD

設備規格

基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 500x500mm方形

製程溫度:溫度範圍:RT~500°C (可自訂)

前驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體源瓶

加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃

反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)

載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)

等離子體系統:支援4路等離子體氣體(可客製化)

射頻功率:0~1000W

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超高真空系列  UHV ALD

設備規格

基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形

製程溫度:溫度範圍:RT~400°C ; 精度:土1°C(可自訂)

前驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體源瓶

加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃

反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)

載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)

高真空系統:高性能分子泵,支援對高真空的真空度需求

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手套箱集成系列 GLOVE BOX INTEGRATED

設備規格

基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形

製程溫度:溫度範圍:RT~500°C (可自訂)前

驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體源瓶

加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃

反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)

載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)

等離子體系統:支援4路等離子體氣體(可客製化)

射頻功率:0~1000W

壓力監測:雙薄膜規組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr

本底真空度:<5x10-3 Torr

真空系統:標準油泵

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粉體包裹系統PA系列

設備規格

基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形

可處理樣品量:克級

製程溫度:溫度範圍:RT~450°C

前驅體路數:最大支援4路前驅體氣路(可自訂),包含固、液態前驅體源瓶

加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃

反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)

載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)

壓力監測:三薄膜規組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr

本底真空度:<5x10-3 Torr

真空系統:標準油泵

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量產型設備

我們提供多尺寸方形基板ALD量產型設備 : 模組化技術解決方案提供客製化量產設備,可適合您的基材材料和尺寸、 鍍膜膜層厚度和材料、 生產速度。

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