設備規格
基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形
製程溫度:溫度範圍:RT~500°C (可自訂)
前驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體
源瓶加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃
反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)
載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)
壓力監測:雙薄膜規組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr
本底真空度:<5x10-3 Torr
真空系統:標準油泵
設備規格
基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形
製程溫度:溫度範圍:RT~500°C (可自訂)
前驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體源瓶
加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃
反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)
載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)
等離子體系統:支援4路等離子體氣體(可客製化)射頻功率:0~1000W
壓力監測:雙薄膜規組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr
本底真空度:<5x10-3 Torr
真空系統:標準油泵
設備規格
基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 500x500mm方形
製程溫度:溫度範圍:RT~500°C (可自訂)
前驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體源瓶
加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃
反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)
載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)
等離子體系統:支援4路等離子體氣體(可客製化)
射頻功率:0~1000W
設備規格
基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形
製程溫度:溫度範圍:RT~400°C ; 精度:土1°C(可自訂)
前驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體源瓶
加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃
反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)
載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)
高真空系統:高性能分子泵,支援對高真空的真空度需求
設備規格
基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形
製程溫度:溫度範圍:RT~500°C (可自訂)前
驅體路數:最大支援6路前驅體氣路(可客製),包含固、液態前驅體源瓶
加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃
反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)
載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)
等離子體系統:支援4路等離子體氣體(可客製化)
射頻功率:0~1000W
壓力監測:雙薄膜規組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr
本底真空度:<5x10-3 Torr
真空系統:標準油泵
設備規格
基板: 100/150/200/300mm 晶圓或不超過 300x300mm方形
可處理樣品量:克級
製程溫度:溫度範圍:RT~450°C
前驅體路數:最大支援4路前驅體氣路(可自訂),包含固、液態前驅體源瓶
加熱系統:可加熱溫度範圍:RT~150℃
反應物路數:支援2路反應物氣路(可客製化)
載氣:標準:N2, MFC 流量控制(可自訂)
壓力監測:三薄膜規組合(耐腐蝕),0.005Torr - 1000Torr
本底真空度:<5x10-3 Torr
真空系統:標準油泵
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